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机译:光照辅助化学合成的Cu掺杂硫代磷多孔薄膜的物理性质
Department of Physics S.E.S. College Sreekandapurara Sreekandapuram Kannur 670631 Kerala India;
Department of Physics P.R.N.S.S. College Mattannur Mattanur Kannur 670702 Kerala India;
School of Pure and Applied Physics Kannur University Kannur Kerala India;
Conductivity; Tinsulphide; Thin films; Nanostructures; XRD; UV;
机译:电化学合成的微晶硫化锡薄膜:高介电稳定性,弛豫时间短,光化学和光电化学性能高
机译:Ag辅助光化学刻蚀形成的薄膜多孔非晶碳化硅的结构和光学性质
机译:多孔金薄膜辅助化学刻蚀制备的硅纳米线及其光电化学性能
机译:一种偏见持续时间对MSM光电探测器的新两步交流光辅助电化学蚀刻(ACPEC)技术制造的多孔Si结构性能的影响
机译:第一部分:有机发光二极管中的电磷光。第二部分多层二硫醇铜薄膜的光电化学性能。
机译:基于六角形纳米柱的多孔氧化铝辅助铌纳米结构薄膜设计2-D光子晶体的光学性质
机译:超声波喷雾热解制备的Cu掺杂Cds薄膜的结构和光电化学性质