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机译:具有改进性能的源袋式设计的叠底叠层氧化物圆柱栅隧道FET:设计与分析
IIT (BHU) Varanasi Uttar Pradesh India;
Band-to-band tunneling (BTBT); Interface trap charge (ITC); Parabolic approximation; Tunnel FET (TFET);
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机译:源极口袋掺杂对圆柱形栅极隧道FET的RF和线性性能的影响
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机译:基于TCAD评估的电路级性能比较研究源口袋工程术语All-Si垂直隧道FET和GASB / SI异质结垂直隧道FET
机译:平面源极袋(PSP)隧道MOSFET:适用于低功耗应用并改善隧道MOSFET性能的潜在器件解决方案。
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机译:一种SiGe源掺杂的双栅极隧道FET:基于增强性能的充电等离子体技术的设计与分析