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机译:设计用于微波探测器的带有2DEG层的外延结构的光致发光特性
Ctr Phys Sci & Technol Sauletekio Al 3 LT-10257 Vilnius Lithuania|Vilnius Gediminas Tech Univ Sauletekio Al 11 LT-10223 Vilnius Lithuania;
Ctr Phys Sci & Technol Sauletekio Al 3 LT-10257 Vilnius Lithuania;
Vilnius Gediminas Tech Univ Sauletekio Al 11 LT-10223 Vilnius Lithuania;
机译:垂直n〜+ / n-GaAs / Al_(0.25)Ga_(0.75)As MBE和MOCVD生长的垂直结构的光致发光特性,用于微波探测器
机译:专为微波和太赫兹探测器设计的GaAs / AlxGa1-xAs结构的时间分辨光致发光特性
机译:GaAs / AlGaAs结构中引入的InAs超薄层中2DEG限制的光致发光研究
机译:(GaIn)As和InP块状外延层的特性。 (GaIn)As / InP-异质结构和通过使用替代来源二叔丁基--s和二叔丁基膦生长的引脚检测器结构
机译:高质量的砷化镓-铝镓-砷化物异质结构的分子束表观生长,用于微波设备的应用(量子阱,杂质,光致发光,调制掺杂)。
机译:通过室温μ-光致发光和μ-拉曼分析表征3C-SiC外延层截面中的4H和6H类堆积缺陷
机译:为微波和TERaHERTZ探测器设计的Gaas / al0.3Ga0.7as结构的光致发光寿命