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机译:成分对MOCVD生长的腔隙La_(1-x)MnO_(3-δ)薄膜(x> 0)的结构和磁输运性质的影响
Laboratoire des Materiaux et du Genie Physique UMR CNRS 5628, INPG, BP 46, 38402 St. Martin d'Heres, France;
机译:在Lucalox衬底上通过MOCVD生长的La_(0.83)Sr_(0.17)MnO_(3)薄膜的巨磁阻特性
机译:在La_(1-x)Sr_(x)MnO_(3)底层上生长的Ba_(1-x)Sr_(x)TiO_(3)薄膜的增强介电性能
机译:脉冲激光沉积技术生长La_(0.7)Ba_(0.3)MnO_(3-δ)复合氧化物薄膜的物理性质
机译:面内晶界对La_(0.7)Sr_(0.3)MnO_(3-δ)薄膜输运性能的影响
机译:镧镍氧化物电极上MOCVD衍生的钙钛矿铅锆(x)钛(1-x)氧(3)和铅(scan钽)(1-x)钛(x)氧(3)薄膜的微观结构和电性能缓冲硅
机译:MOCVD生长的ALN薄膜中应力和光学性质的温度依赖性
机译:高能电子辐照对运输的影响 La_ {1-x} Ca_ {x} mnO_ {3}薄膜的性质(x \约1/3)
机译:在独立式GaN模板上通过mOCVD生长GaN和In(x)Ga(1-x)N薄膜的微结构