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机译:基于GaAs金属氧化物半导体的非易失性闪存设备中InP量子点的电荷存储特性
Materials Science Centre, Indian Institute of Technology, Kharagpur 721 302, India;
机译:基于GaAs金属氧化物半导体的非易失性闪存设备中InP量子点的电荷存储特性
机译:嵌入ZnO量子点的基于GaAs金属氧化物半导体的非易失性存储器件
机译:石墨烯量子点作为非易失性闪存的电荷陷阱元件
机译:GaAs金属 - 氧化物 - 半导体基于非易失性闪存装置,具有INAS量子点作为电荷存储节点
机译:硒化锌镉包覆的量子点电致发光和非易失性存储器件。
机译:在InP(100)衬底上生长的GaSb / InGaAs II型量子点的结构和光学性质
机译:基于Cuins2量子点 - 聚甲基丙烯酸酯纳米复合材料的非易失性存储器件的多级特性和内存机制