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Experimental and theoretical investigation of the effect of SiO2 content in gate dielectrics on work function shift induced by nanoscale capping layers

机译:栅极电介质中SiO2含量对纳米级覆盖层引起的功函数偏移的影响的实验和理论研究

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摘要

The impact of SiO2 content in ultrathin gate dielectrics on the magnitude of the effective work function (EWF) shift induced by nanoscale capping layers has been investigated experimentally and theoretically. The magnitude of the effective work function shift for four different capping layers (AlN, Al2O3, La2O3, and Gd2O3) is measured as a function of SiO2 content in the gate dielectric. A nearly linear increase of this shift with SiO2 content is observed for all capping layers. The origin of this dependence is explained using density functional theory simulations.
机译:通过实验和理论研究了超薄栅极电介质中SiO2含量对纳米级覆盖层引起的有效功函数(EWF)位移幅度的影响。测量了四个不同的覆盖层(AlN,Al2O3,La2O3和Gd2O3)的有效功函数偏移的大小,它是栅极电介质中SiO2含量的函数。对于所有覆盖层,都观察到这种位移随SiO2含量的变化呈线性增长。使用密度泛函理论模拟解释了这种依赖性的起源。

著录项

  • 来源
    《Applied Physics Letters》 |2012年第11期|p.1-4|共4页
  • 作者单位

    Materials Science and Engineering, King Abdullah University of Science and Technology (KAUST), Thuwal 23955-6900, Saudi Arabia;

  • 收录信息 美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);美国《生物学医学文摘》(MEDLINE);
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 eng
  • 中图分类
  • 关键词

  • 入库时间 2022-08-17 13:13:45

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