首页> 外文期刊>Applied Physics Letters >CdS buffer-layer free highly efficient ZnO-CdSe photoelectrochemical cells
【24h】

CdS buffer-layer free highly efficient ZnO-CdSe photoelectrochemical cells

机译:无CdS缓冲层的高效ZnO-CdSe光电化学电池

获取原文
获取原文并翻译 | 示例
       

摘要

Highly reproducible, wet-chemically processed, CdS buffer-layer free ZnO-CdSe photoelectrochemical cells with 3.38% power conversion efficiency have been fabricated. An enhanced current density is observed due to increase in number of injected photoelectrons with CdSe nanoparticles loading time. Impedance spectroscopy results suggest that interfacial resistance is strongly dependant on CdSe nanoparticles loading time.
机译:制备了具有3.38%功率转换效率的高度可复制,经过湿化学处理的,不含CdS缓冲层的ZnO-CdSe光电化学电池。由于随着CdSe纳米颗粒加载时间的增加,注入的光电子数量增加,观察到了更高的电流密度。阻抗谱结果表明,界面电阻在很大程度上取决于CdSe纳米粒子的加载时间。

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号