机译:纵横制电阻存储器选择器器件的Si-As-Te薄膜阈值切换
Department of Materials Science and Engineering and Inter-university Semiconductor Research Center, Seoul National University, Seoul 151-744, South Korea;
机译:纵横制电阻存储器选择器器件的Si-As-Te薄膜阈值转换
机译:Te-SbO薄膜的阈值转换,用于交叉电阻存储应用的选择设备
机译:原子层沉积的超薄(2 nm)氧化铝交叉开关电阻式随机存取存储器中的电阻开关和阈值开关的发生
机译:具有互补电阻开关存储器的低功耗无选择器交叉开关阵列
机译:多层薄膜磁阻存储元件的开关阈值研究
机译:使用ZnO薄膜的电阻式开关存储器件的可靠性特性和导电机理
机译:使用ZnO薄膜的电阻式开关存储器件的可靠性特性和导电机理
机译:薄膜pmma聚合物中的记忆和阈值转换