首页> 外文期刊>Applied Physics Letters >Low depinning fields in Ta-CoFeB-MgO ultrathin films with perpendicular magnetic anisotropy
【24h】

Low depinning fields in Ta-CoFeB-MgO ultrathin films with perpendicular magnetic anisotropy

机译:具有垂直磁各向异性的Ta-CoFeB-MgO超薄膜中的低钉扎场

获取原文
获取原文并翻译 | 示例
           

摘要

We have studied the domain-wall dynamics in Ta-CoFeB-MgO ultra-thin films with perpendicular magnetic anisotropy for various Co and Fe concentrations in both the amorphous and crystalline states. We observe three motion regimes with increasing magnetic field, which are consistent with a low fields creep, transitory depinning, and high fields Walker wall motion. The depinning fields are found to be as low as 2 mT, which is significantly lower than the values typically observed in 3d ferromagnetic metal films with perpendicular magnetic anisotropy. This work highlights a path toward advanced spintronics devices based on weak random pinning in perpendicular CoFeB films.
机译:我们已经研究了具有垂直磁各向异性的Ta-CoFeB-MgO超薄膜的畴壁动力学,其中非晶态和结晶态下的各种Co和Fe浓度均如此。我们观察到随着磁场增加而出现的三种运动状态,这与低场蠕变,瞬时脱钉和高场沃克壁运动一致。发现去钉扎场低至2 mT,这显着低于在具有垂直磁各向异性的3d铁磁金属膜中通常观察到的值。这项工作强调了基于垂直CoFeB薄膜中的弱随机钉扎的高级自旋电子学器件的发展之路。

著录项

  • 来源
    《Applied Physics Letters》 |2013年第18期|1-5|共5页
  • 作者单位

    Institut d'Electronique Fondamentale, Université Paris-Sud, 91405 Orsay, France|c|;

  • 收录信息 美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);美国《生物学医学文摘》(MEDLINE);
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 eng
  • 中图分类
  • 关键词

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号