...
机译:拉普拉斯变换深能级瞬态光谱法解析4H-SiC中的EH 6/7 sub>能级
Department of Electronic Science and Engineering, Kyoto University, Kyotodaigaku-katsura, Nishikyo, Kyoto 615-8510, Japan|c|;
机译:拉普拉斯变换深能级瞬态光谱法解析4H-SiC中的EH_(6/7)能级
机译:拉普拉斯变换深能级瞬态光谱法解析外延硅中铁相关的深电子陷阱
机译:Z1 / 2,EH5和Ci1深缺陷对n型4H-SiC外延层肖特基探测器性能的影响:α光谱和深能级瞬变光谱研究
机译:深度瞬态光谱法研究n型4H-SiC外延肖特基探测器中的深能级以及边缘终止对能量分辨率的影响
机译:用深层瞬态光谱法(DLTS)表征4H-SiC的缺陷及其对器件性能的影响
机译:在(100)和(311)B GaAs衬底上生长的GaAs / AlGaAs多量子阱的深层瞬态光谱
机译:拉普拉斯变换深能级瞬态光谱法解析4H-SiC中的EH 6/7能级
机译:双注入N(+) - p和p(+) - n 4H-siC二极管的深能级瞬态光谱研究