机译:Ge L3边缘x射线外观近边缘结构光谱法选择性检测基于GeTe的非晶态相变合金中的四面体单元
Green Nanoelectronics Center (GNC), Nanoelectronics Research Institute, National Institute of Advanced Industrial Science &'||';
'||' Technology (AIST), Tsukuba Central 4, Higashi 1-1-1, Tsukuba 305-8562, Japan;
XANES; ab initio calculations; amorphous state; antimony alloys; crystallisation; germanium alloys; phase change materials; tellurium alloys; 6143-j; 6470K-; 7870Dm;
机译:出版者的注释:“使用Ge L3边缘x射线吸收近边缘结构光谱法选择性检测非晶GeTe基相变合金中的四面体单元”。物理来吧102,111904(2013)]
机译:Ge L3边缘x射线吸收近边缘结构光谱法选择性检测基于GeTe的非晶态相变合金中的四面体单元
机译:出版者注:“使用Ge L3边缘x射线吸收近边缘结构光谱法选择性检测非晶GeTe基相变合金中的四面体单元”
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