机译:关于在硅上氧化物沉淀的重组机理
Department of Materials, University of Oxford, Parks Road, Oxford OX1 3PH, United Kingdom;
carrier lifetime; crystal defects; electron-hole recombination; elemental semiconductors; impurity distribution; iron; minority carriers; precipitation; segregation; silicon; 6172sh; 6475Qr; 7220Jv; 7280Cw; 8105Cy; 8130Mh;
机译:关于在硅上氧化物沉淀的重组机理
机译:Czochralski含硅氧化物沉淀物中的自旋依赖性重组
机译:在氧化物处的重组在硅中沉淀
机译:在氧化物处的重组在硅中沉淀
机译:硅/二氧化硅界面陷阱处的电子-空穴复合以及薄氧化物MOS晶体管中的隧穿的理论和实验。
机译:使用固态NMR光谱比较氧化硅和氧化钛共沉淀物中R5肽的二级结构和相互作用的比较
机译:Czochralski含硅氧化物中的自旋相关重组 沉淀物