机译:InGaN / GaN发光二极管中负责非辐射复合的深能级特性
机译:InGaN / GaN发光二极管中负责非辐射复合的深能级特性
机译:内场对Ingan / gan量子阱发光二极管深能级发射的影响
机译:基于多量子阱InGaN / GaN结构的发光二极管的深层瞬态光谱研究
机译:通过各种器件表征技术分析的InGaN / GaN发光二极管中的非辐射复合机理
机译:以极性,半极性和非极性方向生长的InGaN / GaN多量子阱发光二极管。
机译:非极性m面InGaN / GaN发光二极管的有效载流子注入传输弛豫和复合与更强的载流子定位和低极化效应相关
机译:非辐射复合-在选择InGaN / GaN发光二极管的量子阱数时至关重要