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机译:聚(9,9-二辛基芴)二极管中受空间电荷限制的空穴电流
Molecular Electronics, Zernike Institute for Advanced Materials, University of Groningen, Nijenborgh 4,9747 AG Groningen, The Netherlands;
机译:聚(9,9-二辛基芴)二极管中受空间电荷限制的空穴电流
机译:聚(9,9(')二辛基芴-alt-苯并噻二唑)聚合物发光二极管的陷阱辅助空穴注入和量子效率增强
机译:基于聚[(9,9-二辛基芴基-2,7-二基)-co-(1,4-亚苯基)] / [聚-(9,9-二辛基芴-2)的聚合物发光二极管中双层的频率依赖性,7-diyl-co-benzothiadiazole)]
机译:单层聚(9,9-二辛基氟烯)发光二极管平衡电子和孔电流
机译:通过使用芳族醚提高聚(9,9-二辛基芴)(PFO)的光谱稳定性。
机译:通过改善高效量子点发光二极管的横向电流促进空穴传输能力
机译:聚(9,9-二辛基芴)二极管中受空间电荷限制的空穴电流
机译:由于衬底空间电荷限制电流导致的异质结FET中的漏极电流过大。