机译:通过在AlGaN / GaN中进行选择性区域p-GaN沟槽填充再生长的横向p-GaN / 2DEG结二极管
Virginia Polytech Inst & State Univ Ctr Power Elect Syst Bradley Dept Elect & Comp Engn Blacksburg VA 24061 USA;
Univ Southern Calif Ming Hsieh Dept Elect Engn Los Angeles CA 90086 USA;
Qorvo Inc Richardson TX 75081 USA;
Enkris Semicond Inc Suzhou 215123 Peoples R China;
机译:选择性区域p-GaN MOVPE在图案化模板上形成的垂直和横向p-n结的生长和表征
机译:具有隧道结的氮化物基发光二极管中p-GaN层的横向氢扩散
机译:基于AlGaN的深紫外发光二极管的p-EBL / p-AlGaN / p-GaN结构的极化效应
机译:具有p-GaN /肖特基阳极的横向AlGaN / GaN混合阳极二极管的浪涌电流能力
机译:高性能紫外线光电探测器和LED和光电探测器的单片集成在SI上生长的P-GAN / AlGaN / GaN异质结构上的LED和PhotoTopetector
机译:在6英寸N掺杂的低电阻率SiC基板上的常压P-GaN栅极AlGaN / GaN Hemts的高热耗散
机译:关于InGaN / GaN发光二极管的n-GaN层中N-GaN / P-GaN / N-GaN / P-GaN / N-GaN内置结的影响