机译:降低极化后的InAs上铁电HZO的退火温度
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Electrical and Information Technology Lund University Box 118 22 100 Lund Sweden NanoLund Lund University Box 118 22 100 Lund Sweden;
机译:压力和退火温度对溅射铁电HZO层性能的巨大影响
机译:快速热退火提高应变耦合的InAs / GaAs量子点红外光电探测器的峰值检测率和工作温度
机译:Pb(Zr_(1-x)Ti_)O_3铁电薄膜电容器中高温氢降低极化降解的机理
机译:原子层沉积(有和没有后退火)制备的氧化锆,氧化HA和氧化HA氧化锆(HZO)超薄膜的铁电性和结晶性
机译:弛豫铁电铌酸铅锌的处理和降低的烧结温度-电容器应用的铌酸铅镍/钛酸铅陶瓷
机译:铁电P(VDF-TrFE)薄膜的低温热板退火具有改进的晶体结构适用于传感器和执行器
机译:增强极化的铁电HZO的退火温度降低