...
机译:基于铜/ InGaZnO / Al_2O_3的忆阻器的电阻开关研究
Natl Chiao Tung Univ Dept Elect Engn Hsinchu 30010 Taiwan;
Natl Chiao Tung Univ Inst Electroopt Engn Dept Photon Hsinchu 30010 Taiwan;
机译:在低温条件下调查Al2O3 / TiO2?X忆内函数的电阻切换和运输机制(1.5 k)
机译:基板依赖电阻切换在非晶 - HFOX留片电阻中:实验和计算调查
机译:基于忆阻器的面向电阻式存储器容错的电阻切换机制分析与建模
机译:氧化铜纳米线忆阻器中的电阻切换
机译:忆阻器应用中的二氧化锡电阻切换
机译:用原位透射电镜研究由氧化钨和铜构成的电阻型随机存取存储器的开关操作和性能下降
机译:电阻切换:有机忆阻器利用具有红外反应和阳离子调节特性的铜酞菁纳米线(ADV。电子。Matter。4/2019)
机译:转换理论。向贝尔电话实验室报告。非欧姆电阻开关网络的研究