机译:In_2O_3作为透明导电氧化物的局限性
Univ Calif Santa Barbara Dept Mat Santa Barbara CA 93106 USA|Univ Kansas Dept Phys & Astron Lawrence KS 66045 USA;
Univ Michigan Dept Mat Sci & Engn Ann Arbor MI 48109 USA;
Univ Calif Santa Barbara Dept Mat Santa Barbara CA 93106 USA;
机译:评论“透明导电氧化物中的内在n型行为:In_2O_3,SnO_2和ZnO的比较混合功能研究”
机译:In_2o_3(zno)_n三元透明导电氧化物(n = 1,3,5)中电子和光学趋势的起源:混合密度泛函理论计算
机译:In_2O_3和SnO_2中氢的浅施主态:对透明导电氧化物中电导率的影响
机译:金属氧化物SnO_2和In_2O_3的喷雾热解作为薄膜技术的一个例子:在电导气体传感器中应用的优点和限制
机译:通过调制掺杂的氧化锌/氧化锌镁薄膜改善了透明导电氧化物。
机译:易于加工高度透明并进行硫醇官能化的氧化石墨烯氧化物Langmuir-Blodgett薄膜
机译:集成到等离子体增强薄膜太阳能光伏器件中的超薄透明导电氧化物的局限性