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Manipulation of magnetization in Pd(100) ultrathin films with quantum well structure using modification of Schottky barrier potentials

机译:使用肖特基势垒势的修改操纵具有量子阱结构的Pd(100)超薄膜中的磁化强度

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摘要

The magnetization of Pd(100) ultrathin films that show ferromagnetism due to quantum well states was manipulated by changing the quantum well state with an applied bias voltage. The voltage dependence of the magnetic moment of Pd/SrTiO3-x/Ti/Au intrinsically depends on the Pd film thickness. The induced change in the magnetic moment is due to the modulation of the phase shift at the interface between the Pd thin film and the semiconductor SrTiO3-x substrate. Published under license by AIP Publishing.
机译:通过施加偏置电压来改变量子阱状态,可以控制由于量子阱状态而显示出铁磁性的Pd(100)超薄膜的磁化。 Pd / SrTiO3-x / Ti / Au的磁矩对电压的依赖性本质上取决于Pd膜的厚度。磁矩的感应变化归因于在Pd薄膜和半导体SrTiO3-x衬底之间的界面处的相移调制。由AIP Publishing授权发布。

著录项

  • 来源
    《Applied Physics Letters》 |2019年第5期|052404.1-052404.4|共4页
  • 作者单位

    Keio Univ, Dept Appl Phys & Physicoinformat, Kohoku Ku, 3-14-1 Hiyoshi, Yokohama, Kanagawa 2230061, Japan;

    Univ Tokyo, Inst Solid State Phys, 5-1-5 Kashiwanoha, Kashiwa, Chiba 2778581, Japan;

    Keio Univ, Dept Appl Phys & Physicoinformat, Kohoku Ku, 3-14-1 Hiyoshi, Yokohama, Kanagawa 2230061, Japan;

  • 收录信息 美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);美国《生物学医学文摘》(MEDLINE);
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 eng
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