机译:电子自旋共振谱研究4H-SiC(0001)/ SiO_2界面的界面碳缺陷
Univ Tsukuba, Inst Appl Phys, Tsukuba, Ibaraki 3058573, Japan;
Univ Tsukuba, Inst Appl Phys, Tsukuba, Ibaraki 3058573, Japan;
Kyoto Univ, Grad Sch Engn, Kyoto 6158510, Japan;
Natl Inst Adv Ind Sci & Technol, Tsukuba, Ibaraki 3058569, Japan;
Kyoto Univ, Grad Sch Engn, Kyoto 6158510, Japan;
Natl Inst Adv Ind Sci & Technol, Tsukuba, Ibaraki 3058569, Japan;
机译:在各种4H-SIC(0001)/ SIO_2接口中的P_(BC)中心上的电子 - 自旋谐振和电检测磁共振特征
机译:4H-SiC(0001)/ SiO_2界面碳相关缺陷能级分布的混合密度泛函分析
机译:现实温度下SiC(0001)/ SiO_2系统中碳缺陷的结构和能量学:SiC,SiO_2和界面的缺陷
机译:4H-SiC(0001)/ SiO_2界面处的半导体缺陷
机译:碳化硅(0001)及其界面上外延石墨烯的隧穿光谱研究。
机译:C60 /酞菁锌/ V2O5界面的电子结构用光发射光谱法研究有机光伏应用
机译:通过光电子光谱研究的石墨SIC(0001)界面形成的初始阶段