机译:氧化物离子导体BiYO_3薄膜中的非易失性电阻切换
IIT Delhi, Phys Dept, Magnet & Adv Ceram Lab, New Delhi 110016, India;
IIT Delhi, Dept Elect Engn, New Delhi 110016, India;
Def Met Res Lab, Adv Magnet Grp, Hyderabad 500066, Telangana, India;
IIT Delhi, Dept Elect Engn, New Delhi 110016, India;
Def Met Res Lab, Adv Magnet Grp, Hyderabad 500066, Telangana, India;
IIT Delhi, Phys Dept, Magnet & Adv Ceram Lab, New Delhi 110016, India;
机译:非易失性存储应用of氧化物固体电解质薄膜的双极电阻切换特性
机译:用于非易失性存储器应用的钐氧化物固体电解质薄膜的双极电阻切换特性
机译:双极电阻切换,突触可塑性和非易失性的氧化锌薄膜中的氧化锌薄膜
机译:高k三元稀土氧化物Lahoo3薄膜的单极电阻切换行为,用于非易失性存储器应用
机译:钙钛矿氧化物薄膜作为电阻切换非易失性存储器
机译:控制基于氧化还原活性分子的薄膜的各向异性会导致非易失性电阻式开关存储器
机译:非易失性存储应用中氧化镍薄膜的电铸和电阻转换行为研究
机译:NiFe / pLZT多铁性薄膜异质结构中铁磁共振的非易失性铁电开关(后印刷)。