机译:通过闪光灯退火获得的Ge(100)衬底上的外延Mn_5Ge_3(100)层
Shenzhen Univ, Coll Optoelect Engn, Shenzhen Key Lab Laser Engn, Shenzhen 518060, Peoples R China;
Tech Univ Dresden, D-01062 Dresden, Germany;
King Abdullah Univ Sci & Technol, Phys Sci & Engn Div, Thuwal 239556900, Saudi Arabia;
Helmholtz Zentrum Dresden Rossendorf, Inst Ion Beam Phys & Mat Res, D-01328 Dresden, Germany;
机译:反应磁控溅射中氧自由基辐照对Si(100)衬底上CeO_2(100)层定向取向外延生长的影响
机译:电子束在Si(100)衬底上诱导CeO_2(100)层的取向选择性外延生长
机译:闪光灯退火期间N-2(+)植入锗中的磷扩散:氮对Ge底物损伤和封装层工程的影响
机译:溶胶凝胶法在双轴织构Ni(100)衬底上外延生长Yb_2O_3缓冲层
机译:用正电子an没诱导俄歇电子能谱研究金/铜(100)和钯/铜(100)的亚单层膜
机译:缓冲剂类型对InP(100)衬底上生长的In0.82Ga0.18As外延层的影响
机译:氦离子注入和退火对Si(100)衬底上伪晶Si1-xGex / Si(100)缓冲层弛豫行为的影响
机译:溶胶 - 凝胶法在双轴织构Ni(100)衬底上外延生长Y(sub 2 / sub O / sub 3)缓冲层