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【2h】

Effect of helium ion implantation and annealing on the relaxation behaviour of pseudomorphic Si1-xGex/Si(100) buffer layers on Si (100) substrates

机译：氦离子注入和退火对Si（100）衬底上伪晶Si1-xGex / Si（100）缓冲层弛豫行为的影响

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Luysberg M.; Kirch D.; Trinkaus H.; Holländer B.; Lenk S.; Mantl S.; Herzog H.-J.; Hackbarth T.; Fichtner P. F. P.;
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年度 2002
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