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Time-delayed luminescence from oxidized porous silicon after ultraviolet excitation

机译:紫外线激发后氧化多孔硅的延时发光

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摘要

Oxidized porous silicon is known to luminesce efficiently and with a ns-fast response in the green-blue region of the spectrum (2.3-2.7 eV) at room temperature. For microporous Si processed by rapid thermal oxidation at 1100-1200℃ in a dry oxygen ambient, we observe that the blue light has a time-delayed component that indicates carrier trapping. In addition to the well-established ultrafast light (~1 ns) a signal with a time delay of order 1 s is present under UV photoexcitation. The time-delayed blue light exists at low temperature and has an excitation onset edge at 4.3 ±0.1 eV, an energy that is usually associated with a band discontinuity at the Si-SiO_2 interface.
机译:已知氧化的多孔硅在室温下能有效发光,并在光谱的蓝绿色区域(2.3-2.7 eV)具有ns-fast响应。对于在干燥的氧气环境中在1100-1200℃下快速热氧化处理的微孔Si,我们观察到蓝光具有时间延迟成分,表明载流子被俘获。在紫外线光激发下,除了已确立的超快光(约1 ns)外,还存在一个延迟时间为1 s的信号。延时蓝光存在于低温下,激发起始边缘为4.3±0.1 eV,该能量通常与Si-SiO_2界面处的谱带不连续有关。

著录项

  • 来源
    《Applied Physics Letters》 |1995年第1期|p.49-51|共3页
  • 作者

    A. Kux; D. Kovalev; F. Koch;

  • 作者单位

    Physik-Department E16, Technischen Universitat Muenchen, D-85747 Garching, Germany;

  • 收录信息 美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);美国《生物学医学文摘》(MEDLINE);
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 eng
  • 中图分类 应用物理学;
  • 关键词

  • 入库时间 2022-08-18 03:23:35

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