机译:化学有序PbSc_(0.5)Nb_(0.5)O_(3)的弛豫和铁电薄膜中的介电非线性
Microelectronics and Materials Physics Laboratories, University of Oulu, PL 4500, FI-90014 Oulun Yliopisto, Finland;
机译:弛豫和铁电PbSc_(0.5)Nb_(0.5)O_3薄膜中的化学有序性和外延
机译:弛豫铁电体PbSc_(0.5)Ta_(0.5)O_3和PbSc_(0.5)Nb_(0.5)O_3的结构状态在高达30 GPa的高压下
机译:PbSc_(0.5)Nb _ [(1-x)/ 2] Ta_(x / 2)O_3薄膜和纳米陶瓷的尺寸和应变对弛豫铁电性能的影响
机译:多铁性Pb(Fe_(0.5)Nb_(0.5))O_3的高织构化薄膜中的铁电,铁磁和磁电耦合
机译:通过反应磁控溅射沉积的亚稳态钛(0.5)铝(0.5)铝合金薄膜的物理性能。
机译:四(乙基甲基氨基)和四(二甲基氨基)前体在原子层沉积Hf0.5Zr0.5O2薄膜中铁电性能的比较研究
机译:弛豫铁电体$ PbSc_ {0.5} Ta_ {0.5} O_ {3} $和$ PbSc_ {0.5} Nb_ {0.5} O_ {3} $的结构状态在高达30 GPa的高压下