机译:在硅上的多晶硅层中存在铁的偏析和弛豫吸收的实验证据
Electronics Research Laboratory, University of California, Berkeley, California 94720;
机译:具有受控残余应力的多晶硅吸收层
机译:具有多晶硅夹层的绝缘体上硅晶片中的铁偏析
机译:碳偏析作为直接沉积在硅上的锗碳薄层中的应变松弛机制
机译:表面偏析是在Al-Cu-Si溶液中生长的液相环氧硅薄层中吸收Cu的一种手段
机译:硅中铁的吸杂的理解和建模
机译:令人信服的2D硅层电子结构中的狄拉克锥的实验证据
机译:使用掺杂层和体缺陷在硅中吸铁