机译:铁磁Cr掺杂AlN薄膜的居里温度高
Electronic Science Department, Kurukshetra University, Kurukshetra 136 119, India;
机译:氮生长压力对Cr掺杂AlN薄膜铁磁性能的影响
机译:Cr掺杂Bi_2Se_3薄膜的磁邻近增强居里温度
机译:薄膜和块状样品的高真空退火条件下,Cr掺杂的In_2O_3中的室温铁磁性
机译:高品质铁磁性CR掺杂GaN和AlN薄膜的合成与表征,居里温度高于900K
机译:N合金化的AlN薄膜:结构,压电和磁性。
机译:溅射AlN:Er薄膜的基底温度相关特性用于Al / AlN多层涂层健康的原位发光传感
机译:铁磁掺杂Cr的AlN薄膜的居里温度高