机译:来自单个InGaN量子点的光致发光的时间变化
Department of Physics, University of Oxford, Parks Road, Oxford OX1 3PU, United Kingdom;
机译:在(0001)蓝宝石上通过MOCVD生长的InGaN单量子阱发光二极管中由量子点状态诱导的局域程度的AFM和温度依赖性光致发光研究
机译:InGaN单量子点的微光致发光中光谱扩散的起源
机译:含InGaN量子阱和量子点的GaN基气柱微腔的微光致发光研究
机译:由MOVPE在低表面密度下生长的单铸素量子点的光致发光
机译:单个胶体量子点的光致发光。
机译:结合原子力显微镜和光致发光成像为量子光子器件选择单个InAs / GaAs量子点
机译:评论“量子点的非线性光致发光谱” 点圈系统重新审视“由姚等人和”光致发光 微腔强烈耦合到单个量子点“由Ridolfo等人提出