机译:GaN / AlN多量子阱中1.55μm处的超快速子带间弛豫和非线性磁化率
Department of Physics, Sophia University, 7-1 Kioi-cho Chiyoda-ku, Tokyo 102-8554, Japan;
机译:1.55μmAlN / GaN基子带间检测器的高频(f = 2.37 GHz)室温操作
机译:在GaN / AlN多量子阱中使用1.55μm的子带间跃迁进行全光调制
机译:1.55µm波长范围GaN / AlN量子阱子带间光电探测器的室温工作
机译:在GaN / AlN MQW中以1.55 / spl mu / m的超快速子带间弛豫
机译:Gan-On-Aln作为高压互补电子设备的平台
机译:在原始GaN(0001)衬底上生长的GaN / AlN超晶格中应变弛豫的特殊性:XRD和AFM的比较研究
机译:Ultrafast非线性光学响应在GaN / ALN量子点中的光学开关应用为1.55μm