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Structure and electronic properties of dysprosium-silicide nanowires on vicinal Si(001)

机译:Si(001)附近的sil硅化-纳米线的结构和电子性能

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摘要

Dysprosium-silicide nanowires with widths of 15-100 A and lengths exceeding several 1000 A can be formed on Si(001) by self-assembly. Because of the anisotropy of the Si(001) surface, these nanowires grow in two orthogonal directions. In this study we demonstrate that growth on vicinal substrates results in a perfect unidirectional alignment of the wires. This allows an investigation by angle-resolved photoelectron spectroscopy showing anisotropic metallicity of the nanowires.
机译:可以通过自组装在Si(001)上形成宽度为15-100 A,长度超过1000 A的sil硅化nano纳米线。由于Si(001)表面的各向异性,这些纳米线在两个正交方向上生长。在这项研究中,我们证明了在邻近基底上的生长会导致导线的完美单向对齐。这允许通过角度分辨光电子能谱进行研究,以显示纳米线的各向异性金属性。

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