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Interlayer coupling in a trilayer junction having bismuth as spacer layer

机译:以铋为间隔层的三层结中的层间耦合

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摘要

A trilayer system (CoFe/Bi/Co) with bismuth as a spacer layer was synthesized using dc sputtering at room temperature. Magnetization studies show that the interlayer coupling between two ferromagnetic electrodes oscillates with the thickness of Bi spacer layer at room temperature, as seen in most metallic spacers, but it has a much longer period, which is estimated to be 180 to 200 A. Furthermore, the range of interlayer coupling between two ferromagnetic layers separated by Bi spacer can be extended up to 500 A. As the measuring temperature is reduced, the strength of interlayer coupling increases and varies with Bi thickness in a similar way, but the oscillation amplitude decreases.
机译:在室温下使用直流溅射合成了以铋为间隔层的三层体系(CoFe / Bi / Co)。磁化研究表明,在室温下,两个铁磁电极之间的层间耦合会随着Bi隔离层的厚度而振荡,这在大多数金属隔离层中都可以看到,但是周期更长,估计为180至200A。此外,通过Bi隔离层分隔的两个铁磁层之间的层间耦合范围可以扩展到500A。随着测量温度的降低,层间耦合的强度会以类似的方式随着Bi厚度的增加而增加,但振荡幅度会降低。

著录项

  • 来源
    《Applied Physics Letters》 |2005年第19期|p.192501.1-192501.3|共3页
  • 作者

    Jen-Hwa Hsu; D. R. Sahu;

  • 作者单位

    Department of Physics, National Taiwan University, Taipei 106, Taiwan;

  • 收录信息 美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);美国《生物学医学文摘》(MEDLINE);
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 eng
  • 中图分类 应用物理学;
  • 关键词

  • 入库时间 2022-08-18 03:22:27

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