机译:光照对CuO纳米带阵列场发射的影响
State Key Laboratory of Optoelectronic Materials and Technologies, and Guangdong Province Key Laboratory of Display Material and Technology, Sun Yat-sen (Zhongshan) University, Guangzhou 510275, People's Republic of China;
机译:TaSe_2纳米带准阵列的制备,场致发射及其单个纳米带的电迁移
机译:侧壁照明和电流扩散对InGaN-GaN发光二极管阵列的发光的贡献
机译:紫外照明增强CuO纳米线的电子场发射
机译:光照下CuO纳米带薄膜的场发射特性
机译:残留气体对ZnO,GaN,ZnS纳米结构的场发射特性的影响,以及光对石墨烯电阻率的影响。
机译:CuO纳米线的最大场发射电流密度:使用与缺陷相关的半导体场发射模型和原位测量的理论研究
机译:含CuO纳米线发射极的真空微二极管阵列的制备和场发射性能,无需催化剂即可直接在玻璃上生长
机译:通过测量射频驱动下的发光,检测温度对Gaas mEsFET(金属 - 半导体场效应晶体管)中栅极 - 漏极击穿击穿的影响