机译:通过SiO_2的表面终止修饰并五苯/ SiO_2界面的导电
RIKEN, Hirosawa 2-1, Wako, Saitama 351-0198, Japan;
机译:使用静电组装的PDDA单层通过SiO_2 /并五苯界面改性来改善有机薄膜晶体管的性能
机译:并五苯分子的表面诱导取向和纳米沟槽SiO_2介电层上的传输各向异性的简单划痕方法:表面粗糙度和分子取向对有机薄膜晶体管迁移率的研究
机译:表面疏水控制聚合物/ SiO_2双层栅介电材料上的并五苯纳米结构
机译:堆叠的高k栅极介电材料的电性能:等离子体处理过的SiO_2界面层的远程等离子体CVD Ta_2O_5和(Ta_2O_5)_x(SiO_2)_(1-x)合金
机译:参见关于SiO_2中陷阱俘获电子的研究统计
机译:优化并五苯薄膜晶体管性能:温度和表面条件引起的层生长改性
机译:硅纳米颗粒对OTFT的并五苯门介电界面改性
机译:水,冰和水溶液的介电弛豫谱及其解释。八。通过'纯'冰I(H)单晶转移质子。 I.冰I(H)的偏振光谱。二。极化和传导的分子模型。三。外在与内在极化;表面与体积传导