机译:并五苯薄膜晶体管的栅极电介质中表面自由能的影响
机译:无羟基聚苯乙烯缓冲层对具有高k氧化物栅介质的并五苯类薄膜晶体管电性能的影响
机译:无羟基聚苯乙烯缓冲层对具有高k氧化物栅介质的并五苯类薄膜晶体管电性能的影响
机译:通过紫外线照射改性SiO 2膜的电气和表面性质,用作五价薄膜晶体管应用的栅极电介质
机译:聚合物栅介电表面粘弹性对并五苯薄膜晶体管性能的影响
机译:了解具有高k栅极介电常数的固溶处理金属氧化物薄膜晶体管的迁移率。
机译:氧化石墨烯作为介电和电荷陷阱元素并五苯的有机薄膜晶体管在非易失性存储器中的应用
机译:有机膦酸盐自组装单分子膜用于并联型有机薄膜晶体管的栅极介电表面改性:对比研究†