机译:具有非(0002)X射线衍射峰痕迹的溅射c轴AlN薄膜的压电响应性能下降
Grupo de Microsistemas y Materiales Electronicos, Departamento de Tecnologia Electronica, Escuela Tecnica Superior de Ingenieros de Telecomunicacion, Universidad Politecnica de Madrid, Ciudad Universitaria, 28040 Madrid, Spain;
机译:衬底加热对不平衡磁控溅射沉积AlN薄膜的c轴织构和压电性能的影响
机译:基板加热效果对由不平衡磁控溅射沉积的AlN薄膜的C轴质地和压电性能
机译:钛底电极上溅射沉积的AlN薄膜的C轴取向和压电系数
机译:X射线衍射评估溅射ALN膜的压电响应
机译:N合金化的AlN薄膜:结构,压电和磁性。
机译:PB1-Xlax(Zr0.52Ti0.48)的压电性能1-X / 4O3薄膜通过原位X射线衍射研究
机译:氧气和氩气对AlN溅射薄膜的晶体质量和压电响应的影响
机译:基体组成对反应溅射alN薄膜压电响应的影响;薄固体薄膜