机译:InGaAsN / GaAsSbⅡ型“ W”量子阱的长波长发射
机译:在InP衬底上生长的InGaAsN / GaAsSbⅡ型量子阱二极管的室温光发射为2.86μm
机译:在硅衬底上从II型II型IIA-Gaassb量子点中实现的波长发射,从II型II型 - Gaassb量子点上生长
机译:退火对InP衬底上生长的InGaAsN / GaAsSbⅡ型量子阱二极管性能的影响
机译:IngaAsn / Gaassb II型量子阱中二维电子的有效质量的退火对
机译:基于Ga(x)In(1-x)As(y)P(1-y)的n型长波长量子阱红外光电探测器:生长,表征和制造。
机译:生物质用于细胞成像的高量子产率和双波长光致发光的N掺杂微孔碳量子点的合成。
机译:I型InAsN和InGaAsN在InP上生长的稀氮化物量子阱的扩展波长中红外光致发光