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Multimode switching induced by a transverse field in planar magnetic nanowires

机译:平面磁性纳米线中由横向场引起的多模切换

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摘要

We report how transverse fields affect the axial field needed to "inject" domain walls from a large Permalloy (Ni_(80)Fe_(20)) pad into planar nanowires of width 184 nm, 303 nm, 321 nm, and 537 nm fabricated by electron beam lithography. For the narrowest wire, different switching fields are observed under the same transverse field conditions, indicating that more than one mode or state for the domain walls may exist. In contrast, in the widest wires a transverse field causes each reversal event to occur in two stages. The different response may be attributed to the magnetostatic energy differences of domain walls in wires of different widths.
机译:我们报告了横向场如何影响将“畴”壁从大型坡莫合金(Ni_(80)Fe_(20))注入到宽度为184 nm,303 nm,321 nm和537 nm的平面纳米线中所需的轴向场,电子束光刻。对于最窄的导线,在相同的横向场条件下会观察到不同的切换场,这表明畴壁可能存在不止一种模式或状态。相反,在最宽的导线中,横向场导致每个反转事件在两个阶段发生。不同的响应可以归因于不同宽度的导线中畴壁的静磁能差。

著录项

  • 来源
    《Applied Physics Letters》 |2006年第3期|p.032505.1-032505.3|共3页
  • 作者单位

    Department of Engineering Materials, University of Sheffield, S1 3JD, United Kingdom;

  • 收录信息 美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);美国《生物学医学文摘》(MEDLINE);
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 eng
  • 中图分类 应用物理学;计量学;
  • 关键词

  • 入库时间 2022-08-18 03:21:42

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