机译:使用HfO_2高介电常数的金属氧化物半导体电容器的可靠性
机译:n-In_(0.53)Ga_(0.47)As金属氧化物半导体电容器上高κLa_2O_3 / HfO_2和HfO_2 / La_2O_3堆叠层的可靠性研究
机译:具有0.72 nm等效氧化物厚度LaO / HfO_2堆叠栅电介质的金属氧化物半导体电容器的可靠性特征
机译:退火环境对带有Pt栅电极和HfO_2栅介质的Ge金属氧化物半导体电容器的结构和电性能的影响
机译:n-InAs金属氧化物半导体电容器的La_2O_3 / HfO_2栅介质的研究
机译:用于薄膜电容器的聚合物样氢化碳的合成及双不同电介质对高能密度应用电容器电性能的影响
机译:BaTiO3填料的粒径对电容器储能应用BaTiO3 /聚合物/ Al薄膜的制备和介电性能的影响
机译:宽带隙高k Y2 O3作为钝化中间层,用于增强具有高k HfTiO栅极电介质的n-Ge金属氧化物半导体电容器的电性能和高场可靠性