机译:使用双层CoSi_2纳米晶体改善非易失性存储设备的存储效果
机译:硅化镍纳米晶层可能用于非易失性存储器件的存储特性
机译:具有硅纳米晶体作为非易失性存储器件电荷捕获层的氮化硅的存储特性
机译:具有利用嵌入到聚甲基丙烯酸甲酯层中的Ag纳米颗粒制造的浮栅的非易失性存储器件的存储效应
机译:基于双金纳米晶体和HfO_2隧穿和HfNO / HfTiO层压控制高k绝缘层的非易失性存储电容器
机译:设计用于非易失性闪存设备的纳米晶体浮栅。
机译:具有HfO2 / Al2O3纳米结构隧穿层的氧化Ga纳米晶体非易失性存储器
机译:具有硅纳米晶体的镧氟化物电荷俘获层,用于非易失性存储器件应用
机译:重离子暴露对纳米晶非挥发性记忆的影响