机译:室温下GaN / AIN量子点在λ≈1.48μm处的带内发射
机译:GaN / AIN量子点中的带内跃迁导致负光电导性
机译:GaN / AIN量子点中带内跃迁的均匀线宽为1.55μm
机译:GaN / AIN量子点的带内吸收的超快弛豫和光学饱和
机译:来自GaN / AIN量子点和量子孔的近红外三角机排放
机译:胶体硫属元素汞量子点,带内跃迁和红外检测。
机译:界面涨落GaN量子点的单光子发射的温度依赖性
机译:GaN / AlN量子点中带内跃迁的均匀线宽为1.55µm。
机译:用于量子点器件室温操作的GaN / alN自组装量子点的研制