机译:电荷陷阱和隧穿对氮化硅(Si_3N_4)厚度的依赖性,适用于隧道势垒设计的非易失性存储器应用
Department of Electronic Materials Engineering, Kwangwoon University, 447-1 Wolgye-dong, Nowon-gu, Seoul 139-701, Republic of Korea;
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机译:隧道屏障工程非易失性存储器应用中Hf02层的电荷俘获特性
机译:SiO_2 / HfO_2或Al_2O_3 / HfO_2堆栈的非易失性存储器的可变氧化物厚度隧道势垒的电荷俘获特性
机译:具有工程隧道壁垒的非易失性多晶硅TFT电荷捕捉闪存
机译:具有3D NAND应用的超薄沟槽T型多晶硅无结FET的双SI_3N_4电荷陷阱层(SONNOS)非易失性存储器
机译:非易失性存储器应用的分层隧道势垒的设计和特性。
机译:非易失性存储应用中Al2O3-TiAlO-SiO2栅堆叠的电子结构和电荷俘获特性
机译:通过在电荷捕获非易失性存储器中使用TaON / siO2作为双隧道层来改善性能