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机译:高效交错式530 nm InGaN / InGaN / GaN量子阱发光二极管
Department of Electronics Engineering, Catholic University of Daegu, Hayang, Kyeongsan, Kyeongbuk 712-702, Republic of Korea;
Department of Electrical and Computer Engineering, University of Seoul, Seoul 130 743, Republic of Korea;
Wooree LST Corporation, Ansan-shi, Kyungki-do 425-833, Republic of Korea;
机译:具有530-560 nm范围的短周期InGaN / GaN超晶格的高效InGaN / GaN / AlGaN发光二极管
机译:交错式InGaN / InGaN量子阱发光二极管的内部效率
机译:用于高效InGaN / GaN多量子阱纳米线发光二极管的InGaN有源层的形成特性
机译:极性面对440 nm交错式InGaN / InGaN / GaN量子阱发光二极管的光学性能的影响
机译:高效紫色和蓝色IngaN微胶囊发光二极管
机译:聚苯乙烯纳米光学光刻法制备的光子晶体结构P-GAN纳米棒的研究提高了INGAN / GAN绿色发光二极管光提取效率
机译:具有和不具有n-InGaN电子存储层的蓝色InGaN / GaN量子阱二极管的电致发光效率