机译:悬浮多层石墨烯的低接触电阻率和应变
Center for Semiconductor Components, State University of Campinas, Campinas, Sao Paulo 13083-870, Brazil;
Institute de CiSncias Tecnoldgicas e Exatas, UFTM, Uberaba, Minas Gerais 38025-180, Brazil;
Center for Semiconductor Components, State University of Campinas, Campinas, Sao Paulo 13083-870, Brazil;
Center for Semiconductor Components, State University of Campinas, Campinas, Sao Paulo 13083-870, Brazil;
Center for Semiconductor Components, State University of Campinas, Campinas, Sao Paulo 13083-870, Brazil;
机译:悬浮多层石墨烯的低接触电阻率和应变
机译:具有低肖特基势垒接触的紫外到红外悬浮金属-半导体-金属介观多层MoS 2宽带探测器中的超高光响应性
机译:多层石墨烯的退火钛边缘触点中的超低接触电阻率
机译:使用悬浮多层石墨烯的快速响应中红外发光体
机译:低电阻率的锗硅化物接触层形成了用于纳米级CMOS的磷掺杂的硅锗合金源/漏结。
机译:具有低肖特基势垒接触的紫外到红外悬浮金属-半导体-金属介观多层MoS2宽带探测器中的超高光响应性
机译:使用CmOs,低阻抗边缘与CVD生长的石墨烯接触 兼容金属