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Asymmetric magnetic not gate and shift registers for high density data storage

机译:非对称磁性非门和移位寄存器,用于高密度数据存储

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摘要

We have developed an asymmetric ferromagnetic NOT gate and shift register optimized on a square grid. This gives rise to a two-dimensional storage scheme built up by tessellating an elementary data unit, which is scalable down to very narrow wire widths. The areal footprint of each storage unit is 15F~2, where F is the minimum feature size. We experimentally demonstrate NOT operations across a chain of three gates made from Permalloy with F=60 nm, and present a functional 15-gate, multichannel shift register with electrical injection, and optical readout.
机译:我们已经开发了在方形网格上优化的非对称铁磁非门和移位寄存器。这产生了通过细分基本数据单元而建立的二维存储方案,该方案可扩展到非常窄的线宽。每个存储单元的面积为15F〜2,其中F为最小特征尺寸。我们通过实验证明了在由F = 60 nm的坡莫合金制成的三个门的链上进行的非操作,并提出了具有电注入和光学读出功能的15门,多通道移位寄存器。

著录项

  • 来源
    《Applied Physicsletters》 |2010年第26期|P.262510.1-262510.3|共3页
  • 作者单位

    Imperial College London, London SW7 2AZ, United Kingdom;

    rnImperial College London, London SW7 2AZ, United Kingdom;

    rnImperial College London, London SW7 2AZ, United Kingdom;

    rnImperial College London, London SW7 2AZ, United Kingdom;

    rnImperial College London, London SW7 2AZ, United Kingdom;

    rnImperial College London, London SW7 2AZ, United Kingdom;

    rnImperial College London, London SW7 2AZ, United Kingdom;

  • 收录信息 美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);美国《生物学医学文摘》(MEDLINE);
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 eng
  • 中图分类
  • 关键词

  • 入库时间 2022-08-18 03:18:55

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