机译:GeO_2中Ge悬挂键的第一性原理及其与Ge / GeO_2界面电子自旋共振的关系
Semiconductor Physics Laboratory, Department of Physics and Astronomy, University of Leuven, Celestijnenlaan 200 D, B-3001 Leuven, Belgium;
IMEC, 75 Kapeldreef, B-3001 Leuven, Belgium,Department of Chemistry, PLASMANT research group, University of Antwerp, B-2610 Wilrijk-Antwerp, Belgium;
Semiconductor Physics Laboratory, Department of Physics and Astronomy, University of Leuven, Celestijnenlaan 200 D, B-3001 Leuven, Belgium;
Semiconductor Physics Laboratory, Department of Physics and Astronomy, University of Leuven, Celestijnenlaan 200 D, B-3001 Leuven, Belgium;
机译:Ge / GeO_2界面上悬空键电子结构的第一性原理研究
机译:Ge / GeO_2界面上具有不同氧背键的Ge悬挂键的第一性原理研究
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机译:第一部分:氧的电子磁共振研究 r n自由基基体的运动和相互作用 r n聚合物以及表面上的 r n第二部分:二氧化硅表面上的 r n自由基的电子自旋共振表征
机译:通过饱和转移电子自旋共振和连续波饱和研究确定了髓磷脂蛋白脂质蛋白的脂蛋白界面处的交换速率。
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