机译:具有60 nm沟道长度的铁电栅场效应晶体管,能够快速切换和进行多级编程
Advanced Technology Research Laboratory, Panasonic Corporation, Seika, Kyoto 619-0237, Japan,Precision and Intelligence Laboratory, Tokyo Institute of Technology, Yokohama, Kanagawa 226-8503, Japan;
Advanced Technology Research Laboratory, Panasonic Corporation, Seika, Kyoto 619-0237, Japan;
Advanced Technology Research Laboratory, Panasonic Corporation, Seika, Kyoto 619-0237, Japan;
Precision and Intelligence Laboratory, Tokyo Institute of Technology, Yokohama, Kanagawa 226-8503, Japan;
Advanced Technology Research Laboratory, Panasonic Corporation, Seika, Kyoto 619-0237, Japan;
机译:纳米压印光刻技术制备120nm沟道长度铁电栅薄膜晶体管
机译:小于50 nm沟道长度的P沟道隧道场效应晶体管
机译:栅介电材料对不同沟道长度的弹道肖特基势垒石墨烯纳米带场效应晶体管和碳纳米管场效应晶体管电流-电压特性的依赖性
机译:基于铁电门场效应晶体管的存储阵列改进程序模式
机译:基于N沟道InGaAsP-InP的倒置通道技术器件(ICT)的设计,制造和表征,用于光电集成电路(OEIC):双异质结光电开关(DOES),异质结场效应晶体管(HFET),双极倒置沟道场-效应晶体管(BICFET)和双极型反向沟道光电晶体管(BICPT)。
机译:铁电栅极场效应晶体管的最新进展及其在非易失性逻辑和FeNAND闪存中的应用
机译:MOS2场效应晶体管,具有子10 nm沟道长度
机译:低于100纳米沟道长度的金属氧化物半导体场效应晶体管的电子速度过冲在77和30 K