...
机译:在由SiGe / Si(001)应变松弛的缓冲器制造的SiGe结构中从平面生长模式转变为岛状生长模式
Institutefor Physics of Microstructures, Russian Academy of Sciences, 603950, GSP—105 Nizhny Novgorod,Russia;
Institutefor Physics of Microstructures, Russian Academy of Sciences, 603950, GSP—105 Nizhny Novgorod,Russia;
Institutefor Physics of Microstructures, Russian Academy of Sciences, 603950, GSP—105 Nizhny Novgorod,Russia;
CEA, LETI, Minatec Campus, 17 rue des Martyrs, 38054 Grenoble cedex 9, France;
Physical-Technical Research Institute, Nizhny Novgorod State University, 603950 Nizhny Novgorod, Russia;
Institutefor Physics of Microstructures, Russian Academy of Sciences, 603950, GSP—105 Nizhny Novgorod,Russia;
Institutefor Physics of Microstructures, Russian Academy of Sciences, 603950, GSP—105 Nizhny Novgorod,Russia;
机译:在由SiGe / Si(001)应变松弛的缓冲器制造的SiGe结构中从平面生长模式转变为岛状生长模式
机译:应变松弛的SiGe / Si(001)岛的增长触发了岛运动
机译:具有纯边缘失配位错的Si(001)衬底上松弛应变的SiGe缓冲层的生长和表征
机译:Si(001)上生长的Ge岛和Si mesa上生长的SiGe的组成和结构
机译:SiGe(001)和(110)表面的清洁,钝化和官能化用于ALD成核的表面
机译:激发强度驱动图案化和平面Si(001)衬底上SiGe岛的PL位移:岛中富含Ge的点的证据
机译:激发强度驱动图案化和平面Si(001)衬底上SiGe岛的PL位移:岛中富含Ge的点的证据