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Carrier localization in InN/InGaN multiple-quantum wells with high In-content

机译：In含量高的InN / InGaN多量子阱中的载流子定位

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摘要

We study the carrier localization in InN/In_(0.9)Ga_(0.1)N multiple-quantum-wells (MQWs) and bulk InN by means of temperature-dependent photoluminescence and pump-probe measurements at 1.55/im. The S-shaped thermal evolution of the emission energy of the InN film is attributed to carrier localization at structural defects with an average localization energy of ~ 12 meV. Carrier localization is enhanced in the MQWs due to well/barrier thickness and ternary alloy composition fluctuations, leading to a localization energy above 35 meV and longer carrier relaxation time. As a result, the luminescence efficiency in the MQWs is improved by a factor of five over bulk InN.
机译：我们通过依赖于温度的光致发光和泵浦探针测量以1.55 / im的速率研究InN / In_（0.9）Ga_（0.1）N多量子阱（MQWs）和InN体中的载流子定位。 InN薄膜发射能的S形热演化归因于结构缺陷处的载流子定位，平均定位能量约为12 meV。由于阱/势垒厚度和三元合金组成的波动，MQW中的载流子定位得到增强，从而导致定位能量超过35 meV，并且载流子弛豫时间更长。结果，与整体InN相比，MQW中的发光效率提高了5倍。

著录项

  • 来源
    《Applied Physics Letters》 |2012年第6期|p.062109.1-062109.4|共4页
  • 作者

    S. Valdueza-Felip; L. Rigutti; F. B. Naranjo; P. Ruterana; J. Mangeney; F. H. Julien; M. Gonzalez-Herraez; E. Monroy;

  • 作者单位

    Electronics Department, University of Alcpla, Madrid-Barcelona Road, km 33.6, 28871 Alcala dc Henares, Spain,CEA Grenoble, INAC/SP2M, 25 Rue des Martyrs 38042, Grenoble Cedex 9, France;

    Institut d' Electronique Fondamentale, University of Paris Sud Xl, UMR 8622 CNRS, 91405 Orsay, France;

    Electronics Department, University of Alcpla, Madrid-Barcelona Road, km 33.6, 28871 Alcala dc Henares, Spain;

    Centre de recherche sur les Ions les Materiaux et la Photonique (CIMAP), UMR 6252, CNRS, ENSICAEN, CEA, UCBN, 6 Boulevard Marechal Juin, 14050 Caen Cedex 4, France;

    Institut d' Electronique Fondamentale, University of Paris Sud Xl, UMR 8622 CNRS, 91405 Orsay, France;

    Institut d' Electronique Fondamentale, University of Paris Sud Xl, UMR 8622 CNRS, 91405 Orsay, France;

    Electronics Department, University of Alcpla, Madrid-Barcelona Road, km 33.6, 28871 Alcala dc Henares, Spain;

    CEA Grenoble, INAC/SP2M, 25 Rue des Martyrs 38042, Grenoble Cedex 9, France;

  • 收录信息 美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);美国《生物学医学文摘》(MEDLINE);
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 eng
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