机译:纳米压印SiO_2 / Si上的In-In-InGaAs纳米线阵列中的高成分均一性(111)
Walter Schottky Institut and Physik Department, Technische Universitdt Munchen, Garching 85748, Germany;
Walter Schottky Institut and Physik Department, Technische Universitdt Munchen, Garching 85748, Germany,Institute for Advanced Study, Technische Universitdt Munchen, Garching 85748, Germany;
Walter Schottky Institut and Physik Department, Technische Universitdt Munchen, Garching 85748, Germany;
Institute for Nanoelectronics, Technische Universitdt Munchen, Munich 80333, Germany;
Walter Schottky Institut and Physik Department, Technische Universitdt Munchen, Garching 85748, Germany;
Walter Schottky Institut and Physik Department, Technische Universitdt Munchen, Garching 85748, Germany;
Walter Schottky Institut and Physik Department, Technische Universitdt Munchen, Garching 85748, Germany;
Department of Chemistry, Ludwig-Maximilian Universitdt Munchen, Munich 81377, Germany;
Walter Schottky Institut and Physik Department, Technische Universitdt Munchen, Garching 85748, Germany;
Institute for Nanoelectronics, Technische Universitdt Munchen, Munich 80333, Germany;
Institute for Nanoelectronics, Technische Universitdt Munchen, Munich 80333, Germany;
Walter Schottky Institut and Physik Department, Technische Universitdt Munchen, Garching 85748, Germany,Institute for Advanced Study, Technische Universitdt Munchen, Garching 85748, Germany;
Walter Schottky Institut and Physik Department, Technische Universitdt Munchen, Garching 85748, Germany;
Walter Schottky Institut and Physik Department, Technische Universitdt Munchen, Garching 85748, Germany;
Walter Schottky Institut and Physik Department, Technische Universitdt Munchen, Garching 85748, Germany,Institute for Advanced Study, Technische Universitdt Munchen, Garching 85748, Germany;
Walter Schottky Institut and Physik Department, Technische Universitdt Munchen, Garching 85748, Germany;
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机译:INGAAS纳米线阵列在SI平台上控制间距的选择性区域生长中的组成可控性
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机译:纳米线的汽-液-固生长过程中金属颗粒的组成均匀性
机译:在si平台上具有受控节距的选择性区域生长中的InGaas纳米线阵列的成分可控性