Publisher's Note: 'High-Q (>5000) AIN nanobeam photonic crystal cavity embedding GaN quantum dots' [Appl. Phys. Lett. 100,121103 (2012)]

S. Sergent; M. Arita; S. Kako; S. Iwamoto; Y. Arakawa

首页> 外文期刊>Applied Physics Letters >Publisher's Note: 'High-Q (>5000) AIN nanobeam photonic crystal cavity embedding GaN quantum dots' [Appl. Phys. Lett. 100,121103 (2012)]

【24h】

Publisher's Note: 'High-Q (>5000) AIN nanobeam photonic crystal cavity embedding GaN quantum dots' [Appl. Phys. Lett. 100,121103 (2012)]

机译：发行者的注释：“嵌入GaN量子点的高Q（> 5000）AIN纳米束光子晶体腔” [Appl。物理来吧100,121103（2012）]

获取原文

获取原文并翻译 | 示例

掌桥外文数据库（机构版） >>

开具论文收录证明 >>

文献代查 >>

页面导航

摘要
著录项
相似文献
相关主题

摘要

This article was originally published online on 19 March 2012 with misspellings in three of the authors' names in Ref. 17. The article was correct as it appeared in the printed version of the journal. All online versions of the article were corrected on 28 March 2012.

机译：本文最初于2012年3月19日在线发布，参考文献中三个作者姓名的拼写错误。 17.该文章是正确的，因为它出现在该期刊的印刷版本中。本文的所有在线版本均已于2012年3月28日得到更正。

著录项

来源
《Applied Physics Letters》 |2012年第22期|p.229902.1|共1页
作者
S. Sergent; M. Arita; S. Kako; S. Iwamoto; Y. Arakawa;
展开▼
作者单位

Institute for Nano Quantum Information Electronics, The University of Tokyo, 4-6-1 Komaba, Meguro,Tokyo 153-8505, Japan;

Institute for Nano Quantum Information Electronics, The University of Tokyo, 4-6-1 Komaba, Meguro,Tokyo 153-8505, Japan;

Institute for Nano Quantum Information Electronics, The University of Tokyo, 4-6-1 Komaba, Meguro,Tokyo 153-8505, Japan;

Institute for Nano Quantum Information Electronics, The University of Tokyo, 4-6-1 Komaba, Meguro,Tokyo 153-8505, Japan Institute of Industrial Science, The University of Tokyo, 4-6-1 Komaba, Meeuro, Tokyo 153-8505, Japan;

Institute for Nano Quantum Information Electronics, The University of Tokyo, 4-6-1 Komaba, Meguro,Tokyo 153-8505, Japan Institute of Industrial Science, The University of Tokyo, 4-6-1 Komaba, Meeuro, Tokyo 153-8505, Japan;

展开▼
收录信息美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);美国《生物学医学文摘》(MEDLINE);
原文格式 PDF
正文语种 eng
中图分类
关键词

相似文献

外文文献
专利

1. Publisher’s Note: “High-Q (>5000) AlN nanobeam photonic crystal cavity embedding GaN quantum dots” [Appl. Phys. Lett. 100, 121103 (2012)] [J] . Sergent S. Applied Physics Letters . 2012,第22期

机译：出版商注：“嵌入GaN量子点的高Q（> 5000）AlN纳米束光子晶体腔” [Appl。物理来吧100，121103（2012）]
2. High-Q (>5000) AIN nanobeam photonic crystal cavity embedding GaN quantum dots [J] . S.Sergent, M.Arita, S.Kako, Applied Physics Letters . 2012,第12期

机译：嵌入GaN量子点的高Q（> 5000）AIN纳米束光子晶体腔
3. High-Q (>5000) AlN nanobeam photonic crystal cavity embedding GaN quantum dots [J] . Sergent S., Arita M., Kako S., Applied Physics Letters . 2012,第12期

机译：嵌入GaN量子点的高Q（> 5000）AlN纳米束光子晶体腔
4. High-Q photonic crystal cavities with embedded quantum dots [C] . K. Hennessy, C. Reese, A. Badolato, Conference on Quantum Sensing and Nanophotonic Devices; 20040125-20040129; San Jose,CA; US . 2004

机译：嵌入量子点的高Q光子晶体腔
5. Photonic crystal defect cavities for quantum dot cavity-QED. [D] . Reese, Charles. 2006

机译：量子点腔QED的光子晶体缺陷腔。
6. Spin–cavity interactions between a quantum dot molecule and a photonic crystal cavity [O] . Patrick M. Vora, Allan S. Bracker, Samuel G. Carter, -1

机译：量子点分子与光子晶体腔之间的自旋-空穴相互作用
7. Publisher’s Note: “Nanostructure Ag dots for improving thermal stability of Ag reflector for GaN-based light-emitting diodes” Appl. Phys. Lett. 101, 021115 (2012) [O] . Joon-Woo Jeon, Woong-Sun Yum, Semi Oh, 2012

机译：出版商注：“纳米结构Ag点，用于提高GaN的发光二极管的AG反射器的热稳定性”Appl。物理。吧。 101,021115（2012）
8. Quantum Dot-Photonic Crystal Cavity QED Based Quantum Information Processing. [R] . Vuckovic, J. 2012

机译：基于量子点光子晶体腔QED的量子信息处理。

Publisher's Note: 'High-Q (>5000) AIN nanobeam photonic crystal cavity embedding GaN quantum dots' [Appl. Phys. Lett. 100,121103 (2012)]

摘要

著录项

相似文献

相关主题

期刊订阅